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据韩媒etnews今日报道，局印三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。司宏国表示，发防LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。

高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，止直重点关于合作目前不能透露细节，止直重点但我们确实在与三星电子、LG电子合作。此外，流输LG还表示当前正在开发智能眼镜。同时，电系司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，电系将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，统安报道称最早预计在明年上半年。注：全事三星、全事高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性

（g）环境条件下，要求测量层状SnS的拉曼光谱以及SiO2/Si衬底的光谱。

国家故（h）Sn-S3d5/2和3d3/2的XPS光谱在486.1eV和494.5eV处出现峰。因此，局印固态27Al-NMR谱有望成为研究铝离子嵌入电池电极的有力方法。

发防脱层时发生最小的Al3+捕获（7%）。此外，止直重点与嵌入铝离子相关的绝对27Al信号强度（按样品质量缩放）用于量化AlxMo6S8电极成分，其中27Al强度在完全插层的电极被校准到Al4/3Mo6S8。

在随后的50°C下循环后，流输分别在0.55V和0.38V下观察到两个放电平台，总容量为128mAh/g。因此，电系具有已知成分和质量的电极样品可以作为旋转计数实验的外部标准。